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產品列表
  • PLD脈沖激光濺射沉積... 該PLD脈沖激光濺射沉積設備系列設備主要用于生長光學晶體、鐵電體、鐵磁體、超導體和有機化合物薄膜材料,尤其適用于生長高熔...
  • 晶圓級大尺寸二硫化鉬制... 晶圓級大尺寸二硫化鉬制備CVD設備包括三溫區(qū)管式爐,特殊設計的爐管及配套氣路一組,晶圓級大尺寸二硫化鉬制備CVD設備通過...
  • 雙溫區(qū)CVD系統(tǒng) 雙溫區(qū)CVD系統(tǒng)由1200℃雙溫區(qū)管式爐、雙通道質量流量計和低噪音雙極旋片真空泵組成。雙溫區(qū)CVD系統(tǒng)管式爐的兩個溫區(qū)分...
  • 離子源電子束蒸發(fā)鍍膜儀 該電子束蒸發(fā)方式鍍膜儀,主要用于制備各種導電薄膜、半導體薄膜、鐵電薄膜、光學薄膜,微納器件微加工,電鏡樣品預處理等,尤其...
  • 小型粉末PVD包覆系統(tǒng) 小型粉末PVD包覆系統(tǒng)是一款小型粉末包覆系統(tǒng),主要有2英寸磁控濺射頭和振動樣品臺組成。小型粉末PVD包覆系統(tǒng)粉末在振動樣...
  • ALD原子層沉積系統(tǒng) 原子層沉積(ALD)系統(tǒng)是一種用于在基板表面沉積超薄膜的精密設備,具有原子級別的厚度控制能力。ALD系統(tǒng)通常用于半導體制...
  • 1500℃單溫區(qū)3路質... 1500℃單溫區(qū)3路質量供氣低真空CVD系統(tǒng)由1500℃單溫區(qū)管式爐、三路質量流量計和雙極旋片真空泵組成。管式爐由精密控...
  • 1500℃單溫區(qū)3路質... 1500℃單溫區(qū)3路質量流量計高真空CVD系統(tǒng)由1500℃單溫區(qū)管式爐、三路質量流量計和高真空分子泵組組成。管式爐由精密...
  • 1500℃單溫區(qū)3路浮... 1500℃單溫區(qū)3路浮子供氣低真空CVD系統(tǒng)由1500℃單溫區(qū)管式爐、三路浮子流量計和雙極旋片真空泵組成。管式爐由精密控...
  • 派瑞林真空氣相沉積 派瑞林真空氣相沉積是一種專業(yè)的產品,用于在材料表面上制備薄膜。它采用了在真空環(huán)境中使用氣相化學反應來沉積薄膜的先進過程。...
  • R-PECVD?真空旋... R-PECVD真空旋轉等離子增強CVD設備由旋轉及傾斜機構、單溫區(qū)管式爐、等離子發(fā)生機構、質量流量計供氣系統(tǒng)、高真空分子...
  • 1200℃三溫區(qū)3路質... 1200℃三溫區(qū)3路質量供氣高真空CVD系統(tǒng)由三溫區(qū)管式爐、三路質量流量計和高真空分子泵組組成。管式爐三個溫區(qū)分別由精密...
  • 激光鍍膜設備 激光鍍膜設備系統(tǒng)由真空腔室(主濺射室、進樣室)、樣品傳遞機構、樣品架、旋轉靶臺、真空排氣、真空測量、電器控制、配氣、計算...
  • 電子束蒸發(fā)鍍膜 該設備以電子束蒸發(fā)方式鍍膜設備,主要用于制備各種導電薄膜、半導體薄膜、鐵電薄膜、光學薄膜,微納器件微加工,電鏡樣品預處理...
  • 1500℃單溫區(qū)3路浮... 1500℃單溫區(qū)3路浮子供氣高真空CVD系統(tǒng)由1500℃單溫區(qū)管式爐、三路浮子流量計和高真空分子泵組組成。管式爐由精密控...
  • 1200℃高真空迷你C... 1200℃高真空迷你CVD設備核心是一款迷你管式爐,采用電阻絲加熱。1200℃高真空迷你CVD設備包含一臺三路浮子流量計...
  • 多弧離子鍍膜儀 本設備為多弧離子鍍膜設備。多弧離子鍍是利用氣體放電或被蒸發(fā)物質部分離化,在氣體離子或被蒸發(fā)物質粒子轟擊作用的同時,將蒸發(fā)...
  • 電子束蒸發(fā)鍍膜儀 電子束蒸發(fā)鍍膜儀系統(tǒng)主要由蒸發(fā)真空室、E型電子槍、熱蒸發(fā)電極、旋轉基片加熱臺、工作氣路、抽氣系統(tǒng)、真空測量、電控系統(tǒng)及安...
  • 迷你石墨烯CVD設備 迷你石墨烯CVD設備專為石墨烯生產設計配有高精度質量流量計以及薄膜真空規(guī)。迷你石墨烯CVD設備同時設備配有可燃氣體檢測裝...
  • 1200℃三溫區(qū)3路質... 1200℃三溫區(qū)3路質量供氣低真空CVD系統(tǒng)由三溫區(qū)管式爐、三路質量流量計和雙極旋片真空泵組成。管式爐三個溫區(qū)分別由精密...
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